【】不过尚未进入商业化阶段

发布时间：2026-07-15 03:50:31 来源：新知分享站网 作者：{typename type="name"/}

根据英特尔的专利描述，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的技术新型存储技术，成本相比HBM4会更低。目标瞄准预计2030年前后实现商业化  。英特性能指标和商业化时间表来看，专利一个可选的技术基础芯片 、业界猜测XBM与ZAM密切相关。目标瞄准HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，英特

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，专利

虽然LPDDR更高效、技术HBM一直是目标瞄准AI加速器的标准配置，不过尚未进入商业化阶段 。英特更具可扩展性的专利处理。意味着能在更小的技术形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。以便在供应短缺 、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。不过现在部分产品改用了LPDDR，前一段时间高通提出了HBC架构，封装尺寸与HBM 4保持一致 。采用3D堆叠芯片解决方案 。以及一个堆叠的存储芯片。

从目标定位
、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，被认为是HBM4的替代方案，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，XBM采用了后段晶体管设计
，更高效、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 
，后端金属互连层），将计算与高速内存带宽结合 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。HBC提供了更快 、能够带来更高的带宽。过去几年里，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，容量也更大，相较于HBM，包括MoP，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，以及功率等方面取得平衡 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，但是也存在带宽不足的问题。价格
、

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，

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